发明公开
- 专利标题： 用于极紫外线曝光的薄膜及其制造方法
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申请号： CN202310215581.X申请日： 2023-03-07
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公开(公告)号： CN117250824A公开(公告)日： 2023-12-19
- 发明人: 金文子 , 南基捧 , 吕振浩 , 刘炳哲 , 刘址范 , 丁昶荣
- 申请人： 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社,成均馆大学校产学协力团
- 当前专利权人： 三星电子株式会社,成均馆大学校产学协力团
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市立方律师事务所
- 代理商 李娜; 王占杰
- 优先权： 10-2022-0073806 2022.06.16 KR
- 主分类号： G03F1/62
- IPC分类号： G03F1/62 ; G03F1/22 ; H01L21/033
摘要：
提供了用于极紫外线曝光的薄膜及其制造方法。所述方法包括：在催化剂衬底上形成含石墨层；对所述含石墨层的第一表面进行表面处理以形成第一处理层；和在所述第一处理层上形成第一钝化层，其中，形成所述第一处理层包括通过对所述第一表面的所述表面处理去除所述含石墨层中包括的C‑O‑C键。