发明公开
- 专利标题: 一种硅基稀土掺杂发光材料的发光元件及其制备方法
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申请号: CN202311461206.X申请日: 2023-11-06
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公开(公告)号: CN117253946A公开(公告)日: 2023-12-19
- 发明人: 何恩节 , 王坤 , 刘念
- 申请人: 安徽科技学院
- 申请人地址: 安徽省滁州市凤阳县东华路9号
- 专利权人: 安徽科技学院
- 当前专利权人: 安徽科技学院
- 当前专利权人地址: 安徽省滁州市凤阳县东华路9号
- 代理机构: 昆明合众智信知识产权事务所
- 代理商 史凯
- 主分类号: H01L33/00
- IPC分类号: H01L33/00 ; H01L33/04 ; H01L33/16 ; H01L33/34
摘要:
本发明属于稀土掺杂发光材料领域,公开了一种硅基稀土掺杂发光材料的发光元件及其制备方法,该制备方法包括以下步骤S1.将硅源与碳源处理成粉末状并混合均匀,滴加黏结剂后成型,放置在处于真空环境下的电阻炉中进行加热反应,得到具有多孔的碳化硅基底;S2.将散射颗粒通过离子注入掺杂在S1所述的碳化硅基底中,在将其放置在高温管式扩散炉中进行退火,得到掺杂碳化硅基底;S3.将发光纳米颗粒通过沉积布置在S2所述掺杂碳化硅基底的孔中,并在表层沉积一层束缚层,得到硅基稀土掺杂发光元件。通过该方法制备的硅基稀土掺杂发光元件具有较高的光学效率与兼容性,且拥有较高的稳定性与低能耗性。
IPC分类: