本发明涉及一种68Ge‑68Ga发生器，属于放射性材料应用领域。本发明针对现有技术的68Ge‑68Ga发生器中68Ga淋洗效率受到限制，且多次淋洗后的淋洗效率明显降低的问题，提供了一种68Ge‑68Ga发生器，通过装载颗粒尺寸为10‑300μm，由10‑100nm纳米微粒组成，比表面积为30‑100m2/g，孔径为5‑30nm，且表面光滑，呈锐钛矿相的二氧化钛颗粒，使制备得到的68Ge‑68Ga发生器，在30mCi级以上活度范围，68Ge漏穿率降低至约0.0001%，初始68Ga淋洗效率提高至75%以上，且多次淋洗均能保持在70%以上。