发明公开
- 专利标题： 一种采用引线穿透工艺制备的电子元器件
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申请号： CN202311054967.3申请日： 2023-08-22
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公开(公告)号： CN117275909A公开(公告)日： 2023-12-22
- 发明人: 苏立良 , 苏学伟 , 宋树华 , 苏立锋 , 李章成 , 龙清寿 , 谭文波
- 申请人： 湖南创一电子科技股份有限公司
- 申请人地址： 湖南省娄底市经济开发区太和工业园
- 专利权人： 湖南创一电子科技股份有限公司
- 当前专利权人： 湖南创一电子科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 湖南省娄底市经济开发区太和工业园
- 代理机构： 北京智行阳光知识产权代理事务所
- 代理商 李俊芝
- 主分类号： H01F27/32
- IPC分类号： H01F27/32 ; H01F41/12 ; H01F41/04 ; H01F27/28 ; H01F27/29
摘要：
本发明提供一种采用引线穿透工艺制备的电子元器件，所述电子元器件本体上印刷有端电极，印刷后通过高温固化形成电极层，电极层以及电子元器件本体表面包覆有绝缘层，绝缘层固化后通过激光影像开孔，激光影像开孔后进行外观检查，外观检查后进行金属化电极。本方案的端电极即使影印（印刷）到芯体内部（线圈位置），电极也不会与线圈接触，从而杜绝了导电的可能性，大大增加了电子元器件的安全性。
