本发明涉及到一种半导体套准误差的量测方法。由前一层标识的左纵向标识和周边的灰度值变化情况、前一层标识的右纵向标识和周边的灰度值变化情况，定义第一中心位置横坐标。由后一层标识的局部左纵向标识和周边区域灰度值变化情况、后一层标识的局部右纵向标识和周边区域的灰度值变化情况，定义第二中心位置横坐标。由前一层标识的局部上横向标识和周边区域灰度值变化情况、前一层标识的局部下横向标识和周边区域灰度值变化情况，定义第一中心位置的纵坐标。由后一层标识局部上横向标识和周边区域灰度值变化情况、后一层标识局部下横向标识和周边区域灰度值变化情况，定义出第二中心位置的纵坐标。对比第一和第二中心位置的差异而量测出套准误差。