本申请涉及半导体材料加工技术领域，具体涉及多晶碳化硅衬底抛光剂、抛光方法及多晶碳化硅衬底。抛光剂包括氧化剂、分散剂、磨料a和磨料b；磨料a的硬度介于多晶碳化硅的氧化物和多晶碳化硅本体的硬度之间；磨料b的硬度高于多晶碳化硅本体。抛光方法包括以下步骤：A、选取多晶碳化硅衬底，所述多晶碳化硅衬底不同晶粒的晶向最大夹角＜10°；B、对多晶碳化硅衬底表面进行化学机械抛光，至多晶碳化硅衬底表面粗糙度＜1nm；C、以等离子体束扫描步骤B抛光后的多晶碳化硅衬底表面，至多晶碳化硅衬底表面粗糙度＜0.5nm，完成多晶碳化硅衬底抛光。抛光而得的多晶碳化硅衬底表面粗糙度能够满足键合工艺的要求。