- 专利标题： 高熵涂层和原位锆硅扩散层的多层协同防护体系、制备方法及应用
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申请号： CN202311271634.6申请日： 2023-09-28
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公开(公告)号： CN117305787A公开(公告)日： 2023-12-29
- 发明人: 胡俊华 , 冯南翔 , 曹国钦 , 袁改焕 , 岳强 , 田佳佳 , 杨非凡
- 申请人： 郑州大学 , 国核宝钛锆业股份公司
- 申请人地址： 河南省郑州市高新区科学大道100号
- 专利权人： 郑州大学,国核宝钛锆业股份公司
- 当前专利权人： 郑州大学,国核宝钛锆业股份公司
- 当前专利权人地址： 河南省郑州市高新区科学大道100号
- 代理机构： 郑州优盾知识产权代理有限公司
- 代理商 张真真
- 主分类号： C23C14/35
- IPC分类号： C23C14/35 ; C23C14/34 ; C23C14/08 ; G21C3/07
摘要：
本发明公开了一种高熵涂层和原位锆硅扩散层的多层协同防护体系、制备方法及应用，通过物理溅射技术在锆合金表面引入一种具有事故容错特性的高熵涂层，在高温下原位形成一种连续的、具有抗氧化特性的锆硅扩散层，从而得到高熵涂层和原位锆硅扩散层的多层协同防护体系，达到自强化的效果，可发挥多层协同防护的作用，同时具备高熵合金优异的机械性能和硅化物优异的抗氧化性能。
公开/授权文献
- CN117305787B 高熵涂层和原位锆硅扩散层的多层协同防护体系、制备方法及应用 公开/授权日：2024-06-18
IPC分类:
