发明公开
- 专利标题: 一种大直径低位错锗单晶热场系统及配置方法
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申请号: CN202311055377.2申请日: 2023-08-22
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公开(公告)号: CN117305969A公开(公告)日: 2023-12-29
- 发明人: 岳喜龙 , 张磊 , 袁承乾 , 吴彤 , 李轩 , 刘新军 , 周品 , 王亲猛 , 许志鹏 , 李栋
- 申请人: 江苏宁达环保股份有限公司
- 申请人地址: 江苏省扬州市江都区宜陵镇工业园区
- 专利权人: 江苏宁达环保股份有限公司
- 当前专利权人: 江苏宁达环保股份有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省扬州市江都区宜陵镇工业园区
- 代理机构: 南京宁正知识产权代理有限公司
- 代理商 张艳玲
- 主分类号: C30B11/00
- IPC分类号: C30B11/00 ; C30B29/08
摘要:
本发明公开了一种大直径低位错锗单晶热场系统及配置方法,包括炉体、坩埚、保温层、托杆以及加热装置;所述保温层在炉体内壁,所述坩埚设置在炉体内部中心,所述托杆的上端与坩埚连接,下端穿过炉体;所述加热装置包括筒状加热器、底座以及高度调节装置,所述底座上设有石墨电极,所述筒状加热器通过石墨螺栓固定设置在石墨电极上,所述底座通过高度调节装置可调节的设置在炉体内;所述筒状加热器从上至下包括第一环形段、锥面段以及第二环形段,三段式筒状加热器降低了热场中的温度梯度、结晶液位温度平稳,通过液位检测仪实时监测液位高度,从而调节筒状加热器保持液位中心处于热应力中心,保持单晶低位错生长。
IPC分类: