- 专利标题: 抗辐射半导体器件、工艺、电路、芯片及电子设备
-
申请号: CN202311570050.9申请日: 2023-11-23
-
公开(公告)号: CN117317023A公开(公告)日: 2023-12-29
- 发明人: 赵东艳 , 郁文 , 陈燕宁 , 刘芳 , 吴波 , 邓永峰 , 付振 , 王凯 , 赵扬 , 曹永万 , 陆姗姗
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 孙璐璐
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/423 ; H01L21/336 ; H01L27/02
摘要:
本申请公开了一种抗辐射半导体器件、工艺、电路、芯片及电子设备,属于半导体技术领域。抗辐射半导体器件包括:衬底;底栅层,形成于衬底上;底栅介质层,形成于衬底和底栅层上;外延层,形成于底栅介质层上,外延层包括沿横向依次排布的源区、体区、漂移区和漏区,体区位于底栅层上方;隔离层,形成于外延层上。抗辐射半导体器件中的栅结构包括底栅层,在器件开态时,导电沟道形成于器件内部,远离器件表面,从而不易受外界辐射干扰,器件更稳定。
公开/授权文献
- CN117317023B 抗辐射半导体器件、工艺、电路、芯片及电子设备 公开/授权日:2024-03-29