本发明提供了一种半导电缓冲层材料及其制备方法和应用。根据本发明的半导电缓冲层材料，所述半导电缓冲层材料的制备原料包括：基体树脂、柔性树脂、酸酐类固化剂、胺类促进剂、导电填料和聚硫橡胶，该半导电缓冲层材料在韧性得到改善的同时又保持了强度，在低温环境下，材料的韧性较好且不发生开裂，在高低温循环过程中，用于绝缘主体‑金属外壳之间时，材料能够避免缓冲层热胀冷缩时对绝缘主体造成的损伤。本发明还提供了半导电缓冲层材料的制备方法和应用。