Invention Grant
- Patent Title: 一种放电等离子体通道瞬态特性的有限元仿真方法
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Application No.: CN202311650213.4Application Date: 2023-12-05
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Publication No.: CN117350137BPublication Date: 2024-03-01
- Inventor: 唐佳静 , 李政凯 , 彭维业 , 仇志威 , 殷目龙 , 刘宪福 , 李玉胜
- Applicant: 山东理工大学
- Applicant Address: 山东省淄博市张店区新村西路266号
- Assignee: 山东理工大学
- Current Assignee: 山东理工大学
- Current Assignee Address: 山东省淄博市张店区新村西路266号
- Agency: 淄博市众朗知识产权代理事务所
- Agent 程强强
- Main IPC: G06F30/23
- IPC: G06F30/23 ; G06F30/28 ; G06F113/08 ; G06F119/08 ; G06F119/14

Abstract:
本发明属于有限元仿真技术领域,具体涉及一种放电等离子体通道瞬态特性的有限元仿真方法,步骤包括通过COMSOL模型开发器创建放电通道瞬态击穿物理模型,包括电极区域、极间介质区域和工件区域;在模型开发器中设置三个区域的材料参数并设置放电等离子体通道击穿形成过程的仿真参数;设置电、磁场边界条件;设置放电通道传热边界条件;设置放电通道受力参数及流体边界条件;划分非均匀网格;完成求解器设置进行求解计算,得到放电通道击穿过程及热效应和射流力效应;进行求解结果后处理。本发明能够更为准确的描述放电通道的起弧、击穿、膨胀全过程,进而获得放电等离子体通道击穿形成过程放电通道对工件材料的射流力作用和热效应。
Public/Granted literature
- CN117350137A 一种放电等离子体通道瞬态特性的有限元仿真方法 Public/Granted day:2024-01-05
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