发明公开
- 专利标题: 一种辅热熔断器及其制作方法
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申请号: CN202311653864.9申请日: 2023-12-05
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公开(公告)号: CN117352346A公开(公告)日: 2024-01-05
- 发明人: 钟亚保 , 胡智敏 , 王龙 , 卜文辉
- 申请人: 东莞市贝特电子科技股份有限公司
- 申请人地址: 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区新竹路4号新竹苑16座办公601
- 专利权人: 东莞市贝特电子科技股份有限公司
- 当前专利权人: 东莞市贝特电子科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区新竹路4号新竹苑16座办公601
- 代理机构: 天津市北洋有限责任专利代理事务所
- 代理商 王滔
- 主分类号: H01H85/041
- IPC分类号: H01H85/041 ; H01H85/02 ; H01H85/05 ; H01H85/06 ; H01H85/12 ; H01H85/175 ; H01H69/02
摘要:
本发明公开了一种辅热熔断器及其制作方法,辅热熔断器包括高绝缘外壳、五金端子电极块、陶瓷盖板、热熔组件和塑壳盖子,所述高绝缘外壳内部中空且顶端开口设置;设置有两个,两个所述的五金端子电极块之间设有多个热敏易熔合金,所述热敏易熔合金插入高绝缘外壳内侧,且所述高绝缘外壳内部注入有助熔剂,所述助熔剂覆盖热敏易熔合金;所述陶瓷盖板盖在固化后的助熔剂上方;所述热熔组件包括陶瓷发热片、过温熔断器和高绝缘导线,陶瓷发热片竖直相对平贴在五金端子电极块内部两侧面上,两个所述陶瓷发热片之间设有过温熔断器,且所述过温熔断器与陶瓷发热片连接,所述高绝缘导线设有两根,两根所述的高绝缘导线分别与两个陶瓷发热片连接。
公开/授权文献
- CN117352346B 一种辅热熔断器及其制作方法 公开/授权日:2024-02-23