发明公开
- 专利标题: 热释电陶瓷材料、热释电厚膜传感器及其制备方法和应用
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申请号: CN202311208765.X申请日: 2023-09-18
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公开(公告)号: CN117383934A公开(公告)日: 2024-01-12
- 发明人: 李屹 , 王奥博 , 程建华 , 胡星 , 凌志远
- 申请人: 华南理工大学 , 华南协同创新研究院
- 申请人地址: 广东省广州市天河区五山路381号
- 专利权人: 华南理工大学,华南协同创新研究院
- 当前专利权人: 华南理工大学,华南协同创新研究院
- 当前专利权人地址: 广东省广州市天河区五山路381号
- 代理机构: 广州嘉权专利商标事务所有限公司
- 代理商 齐键
- 主分类号: C04B35/491
- IPC分类号: C04B35/491 ; C04B35/622 ; G01J5/34
摘要:
本发明公开了热释电陶瓷材料、热释电厚膜传感器及其制备方法和应用。本发明的热释电陶瓷材料由Pb3O4、ZrO2、TiO2、Na2CO3和M的氧化物/碳酸盐烧结而成,M的氧化物/碳酸盐中的M为Fe、Mn、Nb中的至少一种。本发明的热释电陶瓷材料在保持优秀的热释电特性的同时还具有烧结温度低、介电损耗低、介电常数小、致密度高等优点,其通过多次烧结工艺堆叠而成,将其作为热释电探测灵敏元用于热释电厚膜传感器,下电极材料的选择相对较为宽泛,间接降低了热释电厚膜传感器的制备成本,在红外探测器、红外成像仪等仪器中具有广阔的应用前景。
IPC分类: