- 专利标题: 一种高强度、高致密度NASICON型固态电解质微晶陶瓷、其制备方法及其应用
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申请号: CN202311468182.0申请日: 2023-11-07
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公开(公告)号: CN117401908A公开(公告)日: 2024-01-16
- 发明人: 王成志 , 苗润青 , 金海波 , 李静波
- 申请人: 北京理工大学
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
- 专利权人: 北京理工大学
- 当前专利权人: 北京理工大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
- 代理机构: 北京理工大学专利中心
- 代理商 张洁
- 主分类号: C03C10/00
- IPC分类号: C03C10/00 ; C03B19/06 ; H01M10/0562 ; H01M10/054
摘要:
本发明涉及一种高强度、高致密度NASICON型固态电解质微晶陶瓷、其制备方法及其应用,属于钠离子电池技术领域。将钠源、锆源、硅源和磷源加入球磨罐中,干法球磨,得到原料粉;将原料粉置于马弗炉中进行预烧,预烧后经充分研磨后再进行干法球磨,得到预烧粉;将预烧粉与PVB混合,充分研磨后干燥,造粒,得到粉体;对粉体进行压片成型,然后将压片置于平整刚玉板上于马弗炉中进行排胶;然后将其埋于普通氧化锆粉中,于马弗炉中进行高温煅烧,得到所述固态电解质微晶陶瓷。所述固态电解质微晶陶瓷具有高强度和高致密度,可以有效降低电解质内部的孔隙,避免电池装配、使用过程中的开裂、破碎,同时具有超过10‑4S/cm的电导率,有利于在全固态电池中的应用。