发明公开
- 专利标题： 一种高亮度纯红光发光二极管
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申请号： CN202310800381.0申请日： 2023-06-30
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公开(公告)号： CN117425363A公开(公告)日： 2024-01-19
- 发明人: 李红金 , 戴兴良 , 叶志镇 , 黄靖云 , 何海平
- 申请人： 浙江大学 , 温州锌芯钛晶科技有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- 专利权人： 浙江大学,温州锌芯钛晶科技有限公司
- 当前专利权人： 浙江大学,温州锌芯钛晶科技有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- 代理机构： 杭州求是专利事务所有限公司
- 代理商 万尾甜; 韩介梅
- 主分类号： H10K50/115
- IPC分类号： H10K50/115
摘要：
本发明提供一种高亮度纯红光发光二极管，包括依次设置的ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层、电极层；其中，所述钙钛矿量子点发光层包括有表面配体，所述配体含有酰胺官能团、且主链上碳原子数小于等于6个，所述配体由含有酰胺官能团的溴源前驱体水解后原位生成；所述钙钛矿发光二极管亮度大于20000cd m‑2。本发明制备出的发光二极管具有高亮度的技术效果，能保持较好的光学性能。
