Invention Publication
- Patent Title: 运行中GIS盆式绝缘子污秽程度判断方法、装置和介质
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Application No.: CN202311353093.1Application Date: 2023-10-18
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Publication No.: CN117433991APublication Date: 2024-01-23
- Inventor: 朱小贤 , 周彦 , 张勇 , 曹妤婕 , 徐之欣 , 常俊 , 张莹 , 邵宣 , 肖广辉 , 张善福
- Applicant: 国网上海市电力公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区自由贸易试验区源深路1122号
- Assignee: 国网上海市电力公司
- Current Assignee: 国网上海市电力公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区自由贸易试验区源深路1122号
- Agency: 上海科盛知识产权代理有限公司
- Agent 宣慧兰
- Main IPC: G01N19/08
- IPC: G01N19/08

Abstract:
本发明涉及一种运行中GIS盆式绝缘子污秽程度判断方法、装置和介质,方法包括:在运行中GIS盆式第一绝缘子设置激励信号,并获取对应的响应信号,根据激励信号和响应信号计算试验模态曲线;对同一型号的GIS盆式第二绝缘子涂抹不同污秽程度的污秽物;对第二绝缘子设置激励信号,获取对应的不同的响应信号;计算不同的污秽程度下的检测模态曲线;依次遍历不同的污秽程度下的检测模态曲线,当检测模态曲线与试验模态曲线的相关系数大于阈值时,将该污秽程度作为第一绝缘子的污秽程度。与现有技术相比,本发明具有简化运行中绝缘子的污秽检测等优点。
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