发明授权
- 专利标题： 一种硅碳负极及其制备方法
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申请号： CN202311376224.8申请日： 2023-10-23
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公开(公告)号： CN117438558B公开(公告)日： 2024-05-24
- 发明人: 解明 , 张宣宣 , 李煜宇
- 申请人： 柔电(武汉)科技有限公司 , 宁波柔创纳米科技有限公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道303号光谷.芯中心2-03栋402室;
- 专利权人： 柔电(武汉)科技有限公司,宁波柔创纳米科技有限公司
- 当前专利权人： 柔电(武汉)科技有限公司,宁波柔创纳米科技有限公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道303号光谷.芯中心2-03栋402室;
- 代理机构： 武汉宇晨专利事务所
- 代理商 庞宽
- 主分类号： H01M4/36
- IPC分类号： H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/587 ; H01M10/0525 ; H01M4/133 ; H01M4/134 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00 ; C01B33/02 ; C01B32/05 ; C23C16/40 ; C23C16/455 ; C23C16/56
摘要：
本发明涉及锂离子电池负极材料的制备方法技术领域，尤其涉及硅碳负极及利用ALD技术在多孔碳中沉积硅层制备硅碳负极的方法。负极材料包括多孔碳基体和位于多孔碳基体孔道内部的纳米硅包覆层，纳米硅包覆层是由纳米二氧化硅通过高温热还原转化获得，纳米二氧化硅通过ALD技术在多孔碳表面和孔洞里面沉积所得，采用ALD技术在多孔碳表面和孔洞里面沉积纳米二氧化硅，能够避免使用危险的硅烷气体，从而提高安全性。
公开/授权文献
- CN117438558A 一种硅碳负极及其制备方法 公开/授权日：2024-01-23
