公开了一种半导体器件及其制造方法、集成电路，半导体器件包括：衬底；第一埋层，位于衬底上方，具有第一掺杂类型；外延层，位于衬底上方，且覆盖第一埋层；第一阱区，具有第一掺杂类型，从外延层的表面向内部延伸，与第一埋层相接触，第一阱区与第一埋层形成盆状结构；第二阱区，具有第二掺杂类型，从外延层的表面向内部延伸，位于盆状结构的内部，且与盆状结构分隔；第一注入区和第二注入区，间隔分布在第二阱区内的上部，分别具有第一掺杂类型和第二掺杂类型；以及场板层，位于盆状结构内部的外延层上方，且同时覆盖第二阱区和外延层。该场板层可以调节第二阱区和盆状结构之间的电场，使得器件可以承受正负向高压。