发明公开
- 专利标题: 一种基于磁元件的量子化电流横向发射度校正方法及系统
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申请号: CN202311309653.3申请日: 2023-10-10
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公开(公告)号: CN117517747A公开(公告)日: 2024-02-06
- 发明人: 胡桐宁 , 曾逸凤 , 周峰 , 雷民 , 殷小东 , 李小飞 , 刘强 , 胡琛 , 樊宽军 , 余佶成
- 申请人: 华中科技大学 , 国家电网有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网江西省电力有限公司供电服务管理中心
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学,国家电网有限公司,中国电力科学研究院有限公司,国网江西省电力有限公司供电服务管理中心
- 当前专利权人: 华中科技大学,国家电网有限公司,中国电力科学研究院有限公司,国网江西省电力有限公司供电服务管理中心
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 北京工信联合知识产权代理有限公司
- 代理商 姜丽楼
- 主分类号: G01R19/00
- IPC分类号: G01R19/00 ; G01R1/28 ; G06F30/20
摘要:
本发明公开了一种基于磁元件的量子化电流横向发射度校正方法及系统。该方法包括:通过所述电流量子化过程中的电子束能量以及由含有两对极头的磁元件所具有的固有属性和通电电流决定的磁场梯度来确定磁元件的聚焦强度;通过改变所述电流量子化传输途径中磁元件中所通过的电流进而改变聚焦强度,获得不同聚焦强度下的束斑图像和尺寸信息;考虑不同因素对电流量子化过程中的电子束横向尺寸造成的影响,将所述不同聚焦强度下的束斑尺寸进行抛物线拟合,求解得到电流量子化过程中的电子束横向发射度参数;将所述测量得到的量子化电流的横向发射度和所述参考量子化电流的横向发射度进行比较,根据比较结果来校正所述待测量子化电流的横向发射度。