发明公开
- 专利标题: 基于湿法蚀刻的光掩模板制作方法
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申请号: CN202311636271.1申请日: 2023-12-01
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公开(公告)号: CN117518712A公开(公告)日: 2024-02-06
- 发明人: 李宥陞 , 曾振瑞 , 李红娇 , 张宇涵 , 王肖
- 申请人: 兴华芯(绍兴)半导体科技有限公司
- 申请人地址: 浙江省绍兴市柯桥区钱清中国轻纺原料城A1幢四楼16号
- 专利权人: 兴华芯(绍兴)半导体科技有限公司
- 当前专利权人: 兴华芯(绍兴)半导体科技有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省绍兴市柯桥区钱清中国轻纺原料城A1幢四楼16号
- 代理机构: 北京市领专知识产权代理有限公司
- 代理商 张玲
- 主分类号: G03F1/80
- IPC分类号: G03F1/80 ; G03F1/00 ; G03F1/84 ; G03F1/44
摘要:
本发明涉及一种基于湿法蚀刻的光掩模板制作方法,包括湿法蚀刻步骤和去光阻步骤,在所述湿法蚀刻步骤和所述去光阻步骤之间还包括线宽预量测步骤:预先量测指定图形的线宽尺寸,得到线宽预量测尺寸,并根据线宽预量测尺寸判断是否需要进行蚀刻补偿,如果需要则进行蚀刻补偿后再进入所述去光阻步骤,如果不需要则直接进入所述去光阻步骤。本实施例提供的光掩模板制作方法,与传统的方法相比增加了线宽预量测步骤以及蚀刻补偿步骤,通过提前预判去光阻之后的线宽是否满足客户需求,以及在不满足需求时通过蚀刻补偿的方式进行补救,大大降低了产品的报废率,且相对于干法蚀刻而言,大大提高生产效率,提升产能。