发明授权
- 专利标题: 一种耐腐蚀性钕铁硼磁体及其制备方法
-
申请号: CN202311370864.8申请日: 2023-10-23
-
公开(公告)号: CN117542599B公开(公告)日: 2024-06-14
- 发明人: 李军 , 刘超 , 丁同梅
- 申请人: 江苏普隆磁电有限公司
- 申请人地址: 江苏省南通市海安县海安工业园区(陈港村一组)
- 专利权人: 江苏普隆磁电有限公司
- 当前专利权人: 江苏普隆磁电有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南通市海安县海安工业园区(陈港村一组)
- 代理机构: 南京中高专利代理有限公司
- 代理商 朱松兰
- 主分类号: H01F1/057
- IPC分类号: H01F1/057 ; H01F41/02
摘要:
本发明涉及钕铁硼磁体技术领域,且公开了一种耐腐蚀性钕铁硼磁体及其制备方法,采用双合金工艺,在辅合金中引入Ce、Ga等可替代Nd的稀土元素,减少了Nd的富集氧化,在烧结期间能均匀弥散地分布在主合金颗粒周围,通过控制辅合金成分,使其液相能很好地浸润主合金相颗粒,起去磁耦合作用,提高了钕铁硼磁体的矫顽力;纳米ZrO2表面具有亲和力,使得涂层和基体之间结合均较为紧密,制备的纳米ZrO2/Zn‑Al2O3复合涂层具有Zn‑Al涂层的钝化作用、物理屏蔽作用,通过浸涂‑离心工艺,在钕铁硼磁体表面涂覆纳米ZrO2/Zn‑Al2O3复合涂层,阻碍外界腐蚀介质与磁体表面直接接触,从根本上解决了钕铁硼磁体耐腐蚀性能较差的问题。
公开/授权文献
- CN117542599A 一种耐腐蚀性钕铁硼磁体及其制备方法 公开/授权日:2024-02-09
IPC分类: