发明公开
- 专利标题: 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法
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申请号: CN202311388458.4申请日: 2023-10-25
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公开(公告)号: CN117545286A公开(公告)日: 2024-02-09
- 发明人: 刘吉双 , 曹越先 , 李智鹏 , 杜敏永 , 郑德旭 , 段连杰 , 曾斌 , 孙友名 , 杨琦 , 刘生忠
- 申请人: 中国核能电力股份有限公司 , 中国科学院大连化学物理研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区玲珑路9号院东区10号楼
- 专利权人: 中国核能电力股份有限公司,中国科学院大连化学物理研究所
- 当前专利权人: 中国核能电力股份有限公司,中国科学院大连化学物理研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区玲珑路9号院东区10号楼
- 代理机构: 核工业专利中心
- 代理商 蔡丽
- 主分类号: H10K30/87
- IPC分类号: H10K30/87 ; H10K30/40 ; H10K30/50 ; H10K71/00
摘要:
本发明涉及钙钛矿太阳电池的制备领域,尤其涉及一种钙钛矿太阳电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳电池,封装胶膜上表面具有高反射陷光结构。其制备方法为:在钙钛矿电池的封装胶膜上叠放陷光结构模板,所述陷光结构模板有图形的一面朝向封装胶膜,在加热条件下进行层压;层压后去下陷光结构模板,得到具备高反射陷光结构的钙钛矿太阳电池,得到具备高反射陷光结构的钙钛矿太阳电池。本发明通过在在太阳电池表面形成了高反射陷光结构,减少制备步骤,简化生产流程。在太阳电池最外侧入光面制备陷光结构,是最有效的减反手段,有效避免了因为后期封装造成的减反膜失效的问题。