本发明公开了一种用于半导体晶圆表面处理的垂直型熔炉，包括熔炉本体，所述熔炉本体包括熔炉外壳和工艺管道，所述工艺管道固定在熔炉外壳的内部，所述工艺管道的一侧固定连接有第一热电偶，所述工艺管道的另一侧固定连接有第二热电偶，所述工艺管道的内部开设有腔体，所述第一热电偶与第二热电偶分别设置有四个，本发明涉及半导体加工技术领域。该用于半导体晶圆表面处理的垂直型熔炉，通过将ProfileTC即第一热电偶安装在工艺管的外壁上进行永久固定，减少设备安装时间，节约设备制作成本，且由于可以通过单个热电偶测量晶圆的实时温度，因此通过晶圆温度为基准，第二热电偶按区域加热器功率来控制加热器温度，能更有效地达到目标温度。