发明公开
- 专利标题: 一种用于次级电子抑制的加速单元及加速装置
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申请号: CN202311555330.2申请日: 2023-11-21
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公开(公告)号: CN117560836A公开(公告)日: 2024-02-13
- 发明人: 陈立华 , 崔保群 , 唐兵 , 张一帆 , 马鹰俊 , 马瑞刚 , 马燮 , 陈浩南 , 李耀廷 , 王云峰
- 申请人: 中国原子能科学研究院
- 申请人地址: 北京市房山区新镇三强路1号院
- 专利权人: 中国原子能科学研究院
- 当前专利权人: 中国原子能科学研究院
- 当前专利权人地址: 北京市房山区新镇三强路1号院
- 代理机构: 北京天悦专利代理事务所
- 代理商 田明; 任晓航
- 主分类号: H05H1/54
- IPC分类号: H05H1/54 ; H05H7/04
摘要:
本发明公开了一种用于次级电子抑制的加速单元及加速装置,涉及离子束技术领域,该加速单元包括多个等间距平行设置的加速电极、绝缘材料和多组磁铁对;加速单元具有入射端和出射端,在出射端设置有与加速电极同轴的小孔电极,小孔电极的孔径小于加速电极的孔径;绝缘材料设置在相邻加速电极间,相邻加速电极间加载所需的电压从而产生接近均匀的加速电场;多组磁铁对阵列式布置在加速电极外侧,与加速电极处于同一电位,用于在加速电极间和离子束加速区域内产生与加速方向垂直的磁场。本发明所提供的加速单元及加速装置可有效抑制离子束加速过程中所产生的次级电子。该加速单元具有次级电子负载小、辐射水平低、结构简单、成本较低等优点。