发明公开
- 专利标题: 一种持久内存和闪存混合的存储系统及写数据方法
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申请号: CN202311616129.0申请日: 2023-11-30
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公开(公告)号: CN117632018A公开(公告)日: 2024-03-01
- 发明人: 杨洪章 , 佟佳华 , 张晗 , 徐光平 , 强慧媛 , 陈正华
- 申请人: 天津理工大学 , 中兴通讯股份有限公司
- 申请人地址: 天津市西青区宾水西道391号
- 专利权人: 天津理工大学,中兴通讯股份有限公司
- 当前专利权人: 天津理工大学,中兴通讯股份有限公司
- 当前专利权人地址: 天津市西青区宾水西道391号
- 代理机构: 北京和信华成知识产权代理事务所
- 代理商 张菊萍
- 主分类号: G06F3/06
- IPC分类号: G06F3/06
摘要:
本发明公开了一种持久内存和闪存混合的存储系统及写数据方法,闪存最小读写单位即闪存页大小用P标识,擦除块大小用B标识,所述写数据方法具体包括以下步骤:步骤一、对于写入数据小于闪存页大小P的情况,将数据直接写入持久内存中;步骤二、对于写入数据的长度大于闪存页大小P,且小于擦除块大小B,即P≤写入数据≤B的情况,如果此时持久内存的空闲空间小于阈值T1,那么数据写入持久内存,否则写入闪存;步骤三、对于写入数据大于擦除块大小B的情况,那么数据按照顺序写入闪存中,这种方式能够减少闪存的擦除。本发明将持久内存和闪存配合使用,并根据写入数据的大小优化了数据放置策略,以达到优化闪存寿命和提升性能的效果。