本发明公开了一种氮化镓高电子迁移率晶体管以及制备方法。该氮化镓高电子迁移率晶体管包括：衬底、沟道层和势垒层；PN结结构，PN结结构包括N型III‑V族半导体层和第一P型III‑V族半导体层，N型III‑V族半导体层位于势垒层远离沟道层的部分表面；第一P型III‑V族半导体层位于N型III‑V族半导体层远离势垒层的一侧；第二P型III‑V族半导体层，第二P型III‑V族半导体层位于势垒层远离沟道层的表面，且第二P型III‑V族半导体层和第一P型III‑V族半导体层连接，经过N型III‑V族半导体层的侧面和势垒层接触。本发明实施例提供的技术方案提高了栅极耐压。