- 专利标题: 一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用
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申请号: CN202311555523.8申请日: 2023-11-21
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公开(公告)号: CN117683258B公开(公告)日: 2024-09-06
- 发明人: 张文超 , 滕宇 , 郑建航 , 冯宇 , 岳东
- 申请人: 哈尔滨理工大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- 专利权人: 哈尔滨理工大学
- 当前专利权人: 哈尔滨理工大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 李红媛
- 主分类号: C08J5/18
- IPC分类号: C08J5/18 ; H01G4/18 ; C08K9/02 ; C08K3/38 ; C08L79/08
摘要:
一种羟基化氮化硼填料‑聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用,涉及绝缘材料技术领域。本发明的目的是为了解决传统的以聚酰亚胺为基体的复合材料掺杂纳米填料后复合薄膜的介电损耗存在明显增加以及击穿场强降低的问题。本发明一种羟基化氮化硼填料/聚酰亚胺绝缘复合介质的制备方法,首先利用球磨的方法制备羟基化氮化硼填料,将BN纳米片、NaOH与蒸馏水混合后进行球磨,然后过滤、洗涤和烘干,得到羟基化氮化硼填料;再利用溶液共混法制备复合薄膜,以聚酰亚胺为基体,将羟基化氮化硼作为填料加入其中,利用溶液共混的方法制备而成。本发明可获得一种羟基化氮化硼填料‑聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用。
公开/授权文献
- CN117683258A 一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用 公开/授权日:2024-03-12