发明公开
- 专利标题: 一种基于共掺杂氧化镍空穴传输层的反式钙钛矿电池的制备方法
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申请号: CN202311580481.3申请日: 2023-11-21
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公开(公告)号: CN117750861A公开(公告)日: 2024-03-22
- 发明人: 彭寿 , 杨扬 , 姚婷婷 , 李刚 , 王天齐 , 金克武 , 彭塞奥 , 王东 , 甘治平
- 申请人: 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司
- 申请人地址: 安徽省蚌埠市涂山路1047号
- 专利权人: 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司
- 当前专利权人: 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省蚌埠市涂山路1047号
- 代理机构: 合肥维可专利代理事务所
- 代理商 吴明华
- 主分类号: H10K71/60
- IPC分类号: H10K71/60 ; H10K71/00 ; H10K71/16 ; H10K30/82 ; H10K30/86 ; H10K30/40 ; H10K30/50 ; H10K85/50 ; C23C14/08
摘要:
本发明公开了一种基于共掺杂氧化镍空穴传输层的反式钙钛矿电池的制备方法,包括:a.依次用洗涤剂、去离子水和丙酮在45℃下分别超声清洗透明基底25min;b.采用磁控溅射工艺,得到的图形化透明导电电极;c.采用共溅射法在透明导电电极上制备空穴传输层,得到厚度为20~40nm空穴传输层;d.采用共蒸发法在空穴传输层上制备钙钛矿吸收层,得到厚度为300~600nm钙钛矿吸收层;e.采用旋涂法在钙钛矿吸收层上制备电子传输层,得到厚度为60~90nm电子传输层;f.采用电子束蒸发在电子传输层上制备背电极,通过掩膜板蒸发得到厚度为90~120nm背电极。该制备方法得到的电池稳定性好、转换效率高、制备过程简单、成本低廉且易于产业化应用。