- 专利标题： 一种高电压薄膜正极界面修饰层的低温制备方法
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申请号： CN202311783521.4申请日： 2023-12-22
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公开(公告)号： CN117766672B公开(公告)日： 2024-07-19
- 发明人: 崔艳华 , 邱进旭 , 赵宇 , 李红亮 , 崔益秀 , 徐荣睿
- 申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
- 申请人地址： 四川省绵阳市游仙区绵山路64号
- 专利权人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
- 当前专利权人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
- 当前专利权人地址： 四川省绵阳市游仙区绵山路64号
- 代理机构： 北京众合诚成知识产权代理有限公司
- 代理商 刘妮
- 主分类号： H01M4/04
- IPC分类号： H01M4/04
摘要：
本发明公开了一种高电压薄膜正极界面修饰层的低温制备方法,该制备包括如下步骤：将修饰前驱体和固态薄膜正极界面升温产生的副产物在1×10‑2～1×10‑8mbar高压和50℃～500℃低温条件下结合，制备得到高电压薄膜正极界面修饰层。本发明能够显著提升界面层处材料的低温结晶性，增加了低温制备工艺兼容性；缩短正极材料退火时间获得高结晶相工序的同时提升高电压性能，减小能耗与成本。
公开/授权文献
- CN117766672A 一种高电压薄膜正极界面修饰层的低温制备方法 公开/授权日：2024-03-26
