本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域。其中，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层，所述有源层包括超晶格层、末阱层和末垒层；所述超晶格层包括交替层叠的势阱层和势垒层，所述势阱层为InGaN层；所述势垒层包括依次层叠的C掺杂InGaN层、C‑Si共掺杂AlGaN层和C掺杂GaN层；所述末阱层为InGaN末阱层，所述末垒层包括依次层叠的C掺杂InGaN末垒层和C掺杂AlGaN末垒层。实施本发明，能够提高载流子在有源层的辐射复合效率，从而提高发光二极管的发光效率。