- 专利标题： 一种不依赖磁场的本征超导二极管器件及其制备方法
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申请号： CN202410217008.7申请日： 2024-02-28
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公开(公告)号： CN117812992B公开(公告)日： 2024-06-04
- 发明人: 乐天 , 许卓锴 , 娄哲丰 , 林效
- 申请人： 西湖大学
- 申请人地址： 浙江省杭州市西湖区转塘街道石龙山街18号
- 专利权人： 西湖大学
- 当前专利权人： 西湖大学
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市西湖区转塘街道石龙山街18号
- 代理机构： 上海科盛知识产权代理有限公司
- 代理商 刘燕武
- 主分类号： H10N60/10
- IPC分类号： H10N60/10 ; H10N60/80 ; H10N60/01
摘要：
本发明涉及一种不依赖磁场的本征超导二极管器件及其制备方法，整个超导二极管器件从上到下依次包括金属性电极层、范德瓦尔斯超导材料层、衬底层，其中金属性电极层用电子束蒸镀所得到；范德瓦尔斯超导材料层通过胶带解离块材样品得到。本发明未采用任何异质结构，利用单一的超导材料制备成本征超导二极管，这种超导二极管在零磁场的环境下就可以有效工作。
公开/授权文献
- CN117812992A 一种不依赖磁场的本征超导二极管器件及其制备方法 公开/授权日：2024-04-02
