本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种构造高速互连封装结构的方法及相应结构。该方法包括：在载片上布置基板、硅桥芯片以及铜柱；对所述载片上进行塑封以形成第一塑封层，其中所述第一塑封层将所述基板、硅桥芯片以及铜柱包覆；在所述第一塑封层上布置第一再布线层；以及在所述第一再布线层上布置多个片上系统芯片以及多个高带宽内存芯片，其中将所述片上系统芯片与所述基板互连，将所述高带宽内存芯片与铜柱互连，并且将所述片上系统芯片与所述高带宽内存芯片通过所述硅桥芯片互连。本发明能够显著提升带宽和存储容量，并且能够实现了SOC和HBM的D2D高速互连。