本申请提供了一种中介层及其制备方法和封装结构，涉及半导体芯片封装技术领域，改善了TGV填充工艺。本申请提供的中介层包括基板、导电层和种子层，基板包括沿基板的厚度方向贯穿基板的通孔，导电层填充于通孔，导电层包括第一导电部和第二导电部，第一导电部和第二导电部沿厚度方向排布，种子层位于第一导电部和第二导电部之间。本申请采用第一导电部和第二导电部这两个导电部填充通孔，避免了由于通孔的深宽比较高导致填充不充分，从而导致的导电层不连续(即开路)的问题。对于第一导电部或第二导电部而言，其对应的通孔的深宽比较低，保证了通孔的充分填充，改善了导电层的连续性，从而改善了TGV填充工艺。