发明公开
- 专利标题: 压电薄膜发声结构及压电薄膜发声器件
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申请号: CN202410005807.8申请日: 2024-01-02
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公开(公告)号: CN117835130A公开(公告)日: 2024-04-05
- 发明人: 崔钊 , 张超 , 宋梦亚 , 侯东飞 , 赵坤
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方技术开发有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方技术开发有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 王瀚
- 主分类号: H04R17/00
- IPC分类号: H04R17/00
摘要:
本申请公开了一种压电薄膜发声结构及压电薄膜发声器件,属于压电发声技术领域。本申请提供了一种压电薄膜发声结构,包括:支撑层,形成有空腔;压电材料层,位于支撑层的一侧,且覆盖空腔;第一电极,位于压电材料层的第一侧,且位于空腔内;第二电极,位于压电材料层与第一侧相对的第二侧,且在层叠方向上与第一电极正对布置;保护层,位于第二电极远离压电材料层的一侧。根据本申请的压电薄膜发声结构,第一电极设置于空腔内部,减小了压电薄膜发声结构在层叠方向上的厚度,使得压电薄膜发声结构更薄,可以实现器件的小型化;且压电薄膜发声结构无需键合或者其他打孔工艺,以实现一体化的制备。