发明授权
- 专利标题: 石墨烯铜导体的制备方法及石墨烯铜导体
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申请号: CN202410071059.3申请日: 2024-01-17
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公开(公告)号: CN117854837B公开(公告)日: 2024-06-25
- 发明人: 马瑜 , 敖东羿
- 申请人: 上海新池能源科技有限公司 , 浙江正泰电器股份有限公司
- 申请人地址: 上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2307室;
- 专利权人: 上海新池能源科技有限公司,浙江正泰电器股份有限公司
- 当前专利权人: 上海新池能源科技有限公司,浙江正泰电器股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2307室;
- 代理机构: 深圳紫藤知识产权代理有限公司
- 代理商 赵正琪
- 主分类号: H01B13/00
- IPC分类号: H01B13/00 ; H01B5/14 ; H01B1/02 ; H01B1/04
摘要:
本申请涉及电接触材料技术领域,具体而言,涉及一种石墨烯铜导体的制备方法及石墨烯铜导体。石墨烯铜导体的制备方法,包括:S1在铜基体的表面包覆第一厚度的碳层;S2在表面具备碳层的铜基体上制备多孔镍层;S3在多孔镍层的表面及其孔内表面包覆第二厚度的碳层;S4向多孔镍层浇注熔融的镍液,使镍液的一部分进入多孔镍层的孔,镍液的另一部分形成包覆多孔镍层的表面镍层,同时利用镍液的热量将碳层中的碳分解并融入镍金属;S5以设定降温速率进行降温,将熔入镍金属中的碳析出,以在铜基体的表面形成镍石墨烯混合层,本申请能够提高石墨烯铜导体的使用寿命和导电性。
公开/授权文献
- CN117854837A 石墨烯铜导体的制备方法及石墨烯铜导体 公开/授权日:2024-04-09