本申请涉及异质结太阳电池技术领域，具体公开了一种背接触异质结太阳电池的制备方法及异质结太阳电池，包括对硅片衬底的背光面依次沉积第一本征非晶硅层、第一磷掺杂硅层、保护层及第一硼掺杂硅层；对第一硼掺杂硅层烧蚀开设第一沟槽；对硅片依次使用不同酸碱溶液进行清洗；在硅片的背光面依次沉积第二本征非晶硅层及第二硼掺杂硅层；在第一沟槽之间烧蚀开设第二沟槽，并清洗及蚀刻第二沟槽内暴露的保护层；在第四硅片中间体背光面沉积透明导电薄膜层，在第一沟槽与第二沟槽之间进行隔离划线；对划线后的第四硅片中间体的背光面印刷主副栅线，本方法工艺工序简单、图形化的精度高以及不影响本征非晶硅层的钝化效果，提高电池的转换效率。