本发明公开了一种高稳定性水下超疏油碳化硅陶瓷膜的制备及应用，所述制备是先将未氧化的碳化硅陶瓷膜放入马弗炉中，在500～900℃下进行氧化烧结25～45分钟，得到后氧化碳化硅陶瓷膜；然后将后氧化碳化硅陶瓷膜放入等离子体清洗仪中，在300～800mT的真空度下进行等离子体改性5～120分钟。实验证明：采用本发明方法可使制得的碳化硅陶瓷膜不仅具有优异的水下超疏油性能，且水下超疏油性能可以长时间保留，稳定性高，在油水分离领域具有很好的应用前景；此外，本发明制备方法简单、条件温和、成本低廉，易于实现规模化。