发明公开
- 专利标题: 一种N-W修饰泡沫镍电极及其制备方法和应用
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申请号: CN202410052937.7申请日: 2024-01-15
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公开(公告)号: CN117867575A公开(公告)日: 2024-04-12
- 发明人: 徐伟明 , 朱奕臻 , 张远垚 , 潘钺柠 , 章鹏飞 , 范智伟
- 申请人: 杭州师范大学
- 申请人地址: 浙江省杭州市余杭区余杭塘路2318号
- 专利权人: 杭州师范大学
- 当前专利权人: 杭州师范大学
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市余杭区余杭塘路2318号
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 王苗苗
- 主分类号: C25B11/091
- IPC分类号: C25B11/091 ; C25B11/052 ; C25B11/031 ; C25B3/07
摘要:
本发明属于电化学材料技术领域,具体涉及一种N‑W修饰泡沫镍电极及其制备方法和应用。本发明提供的N‑W修饰泡沫镍电极,包括泡沫镍基体和负载在泡沫镍基体表面的含氮氧化膜,所述含氮氧化膜中含有金属氧化物和氮元素,所述金属氧化物包括氧化钨和氧化镍。钨具有大量的空轨道,可以接收来自镍元素的电子,这促进了更高的载流子浓度以更快的电子传输,能够有效解决水裂解反应中阳极产氧缓慢的动力学问题;钨氧化物具有高的理论电荷存储容量,氮能够提高本征电导率,促进了溶液中更快的离子扩散和转移,能够降低电极电势。同时本发明以N‑W修饰泡沫镍电极为阳极进行醇电催化氧化,阳极可将醇电催化氧化成酸,生产高附加值的产品。