本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，所述电子阻挡层包括依次层叠的AlN层、第一超晶格层和第二超晶格层；所述第一超晶格层包括交替层叠的Alx1Ga1‑x1N层和Iny1Ga1‑y1N层；所述第二超晶格层包括交替层叠的Alx2Ga1‑x2N层、Iny2Ga1‑y2N层和Iny3Ga1‑y3N层；其中，x1≥x2，y1≥y3，y2≠y3。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。