发明授权
CN1179418C 非易失性半导体存储装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 非易失性半导体存储装置
- 专利标题（英）： Non-volatile semiconductor memory device
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申请号： CN02126534.8申请日： 2002-07-23
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公开(公告)号： CN1179418C公开(公告)日： 2004-12-08
- 发明人: 金井正博 , 龟井辉彦
- 申请人： 精工爱普生株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 精工爱普生株式会社
- 当前专利权人： 精工爱普生株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 李香兰
- 优先权： 2001-221786 2001.07.23 JP
- 主分类号： H01L27/112
- IPC分类号： H01L27/112 ; H01L21/8247
摘要：
非易失性半导体存储装置包括：将具有由字节门和控制门控制的第1、第2MONOS存储单元的存储单元在第1以及第2方向上多行多列配置构成的存储单元阵列区域。存储单元阵列区域具有在第2方向分割的多个区段。多个控制门驱动器的每一个可以独立于其他区段设定所对应的一个区段内的第1、第2控制门的电位。多个主比特线的每一个与多个子比特线的每一个的共同连接部位上设置分别选择连接/非连接的多个选择开关元件。
公开/授权文献
- CN1399342A 非易失性半导体存储装置 公开/授权日：2003-02-26
IPC分类:
