- 专利标题： 基于氨羧络合剂基吸附材料的金属离子去除方法
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申请号： CN202410356010.2申请日： 2024-03-26
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公开(公告)号： CN117942955B公开(公告)日： 2024-05-24
- 发明人: 王会才 , 黄月 , 郭永贵 , 魏俊富 , 梁茂峰 , 孙建腾 , 高立超 , 陈莹
- 申请人： 天津工业大学
- 申请人地址： 天津市西青区宾水西道399号
- 专利权人： 天津工业大学
- 当前专利权人： 天津工业大学
- 当前专利权人地址： 天津市西青区宾水西道399号
- 代理机构： 北京诚呈知识产权代理事务所
- 代理商 刘敏
- 主分类号： B01J20/26
- IPC分类号： B01J20/26 ; C02F1/28 ; B01J20/30 ; B01J20/22 ; B01J20/28 ; C02F101/20
摘要：
本发明涉及基于氨羧络合剂基吸附材料的金属离子去除方法，其包括氨羧络合剂基吸附材料的制备以及溶液中金属离子的吸附分离，氨羧络合剂基吸附材料的制备包括羟基/氨基功能化步骤和酰化步骤。通过采用本发明的氨羧络合剂基吸附材料去除金属离子的方法，能够将溶液中的金属离子彻底去除，具有吸附材料来源广泛，吸附容量大等优点。
公开/授权文献
- CN117942955A 基于氨羧络合剂基吸附材料的金属离子去除方法 公开/授权日：2024-04-30
