发明公开
- 专利标题: 用于液相法生长碳化硅晶体的装置及方法
-
申请号: CN202311817870.3申请日: 2023-12-27
-
公开(公告)号: CN117947518A公开(公告)日: 2024-04-30
- 发明人: 陈小龙 , 盛达 , 李辉 , 王文军 , 郭建刚
- 申请人: 中国科学院物理研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村南三街8号
- 专利权人: 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村南三街8号
- 代理机构: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司
- 代理商 郭广迅
- 主分类号: C30B29/36
- IPC分类号: C30B29/36 ; C30B19/08 ; C30B19/06
摘要:
本发明提供一种用于液相法生长碳化硅晶体的装置和方法。所述装置包括石墨坩埚和石墨环;石墨坩埚由上至下包括沿石墨坩埚内壁周向延伸的第一圆筒和第二圆筒,第一圆筒的内径大于第二圆筒,第一圆筒和第二圆筒的连接处形成环状台阶;石墨环位于石墨坩埚内且沿石墨坩埚内壁周向延伸,并且在碳化硅晶体生长完成后能够被环状台阶支撑。本发明的装置和方法可以避免长时间长晶产生的坩埚熔穿问题,可以实现长时间稳定地生长晶体,并且可实现对石墨坩埚和原料的重复利用,有效地降低生产成本,提高生产效率。
IPC分类: