发明公开
- 专利标题: 一种液态金属氧化物半导体材料及其制备方法
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申请号: CN202211305791.X申请日: 2022-10-24
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公开(公告)号: CN117966232A公开(公告)日: 2024-05-03
- 发明人: 周柱泉 , 刘静
- 申请人: 中国科学院理化技术研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村东路29号
- 专利权人: 中国科学院理化技术研究所
- 当前专利权人: 中国科学院理化技术研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村东路29号
- 代理机构: 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 刘璞
- 主分类号: C25D11/26
- IPC分类号: C25D11/26 ; C25D11/34 ; C25F1/04 ; C25F1/08
摘要:
本发明属于半导体材料制备技术领域,具体涉及一种液态金属氧化物半导体材料及其制备方法。包括以下步骤:提供电解槽、阴极和阳极;将液态金属和电解质溶液加入电解槽中,所述阴极接触所述电解质溶液,所述阳极接触所述液态金属;在所述阴极和所述阳极两端施加电压以便对所述液态金属进行阳极氧化;把电源的正负极对调,在所述阴极和所述阳极两端施加电压,使所述阳极氧化过程中形成的阳极氧化膜脱离液态金属进入电解质溶液中,并从电解质溶液中分离,即得液态金属氧化物半导体材料;其中,所述电解质溶液对于所述阳极氧化膜基本不溶解。该制备方法流程简单,无需使用昂贵设备,能够快捷高效地利用液态金属获得较多的液态金属氧化物半导体材料。