发明公开
- 专利标题： 一种阴离子掺杂调控氧化镓半导体材料施主浓度的方法
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申请号： CN202311848510.X申请日： 2023-12-28
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公开(公告)号： CN117995663A公开(公告)日： 2024-05-07
- 发明人: 裴艳丽 , 苏丹妮 , 卢星 , 王钢
- 申请人： 中山大学
- 申请人地址： 广东省广州市海珠区新港西路135号
- 专利权人： 中山大学
- 当前专利权人： 中山大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市海珠区新港西路135号
- 代理机构： 广州粤高专利商标代理有限公司
- 代理商 王晓玲
- 主分类号： H01L21/266
- IPC分类号： H01L21/266 ; H01L21/223
摘要：
本发明属于半导体器件制造工艺技术领域，更具体地，涉及一种阴离子掺杂调控氧化镓半导体材料施主浓度的方法。采用阴离子氟离子注入，通过调节离子注入机的注入剂量实现施主浓度调控；通过调节离子注入的注入能量和注入步骤实现施主空间分布的调控；通过离子注入后退火工艺实现掺杂离子的注入激活；方法不仅能够实现施主浓度调控和施主空间分布的调控，而且本方法注入的氟离子更容易激活；增强了工艺的灵活度，实现方法更简单对设备要求也更低。
IPC分类:
