- 专利标题: 一种考虑多元调控参数的Si/SiC混合器件选型与性能评估方法
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申请号: CN202410424343.4申请日: 2024-04-10
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公开(公告)号: CN118013908B公开(公告)日: 2024-07-05
- 发明人: 肖标 , 郭祺 , 涂春鸣 , 肖凡 , 龙柳 , 朱梓贤 , 韩硕
- 申请人: 湖南大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号
- 专利权人: 湖南大学
- 当前专利权人: 湖南大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号
- 代理机构: 长沙新裕知识产权代理有限公司
- 代理商 刘熙
- 主分类号: G06F30/36
- IPC分类号: G06F30/36 ; G06F17/10 ; G06F119/06
摘要:
一种考虑多元调控参数的Si/SiC混合器件选型与性能评估方法,包括以下步骤:建立导通损耗模型、开关损耗模型和过冲电流模型;基于混合器件内部单一器件的功率组合特性确定混合器件的预选组合方案;通过过冲电流模型获取预选组合方案内各SiC MOSFET的峰值电流,确定预选组合方案内满足暂态耐受能力条件的方案;基于导通损耗模型,获取不同负载电流下分别流经SiC MOSFET与IGBT的分负载电流,确定筛选后的方案中满足混合器件动态分流特性条件的方案,得到初选方案;对初选方案进行综合性能比较后得到最终选择方案。
公开/授权文献
- CN118013908A 一种考虑多元调控参数的Si/SiC混合器件选型与性能评估方法 公开/授权日:2024-05-10