发明公开
- 专利标题： 光电器件的后处理方法、后处理装置及可读存储介质
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申请号： CN202211426835.4申请日： 2022-11-15
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公开(公告)号： CN118050569A公开(公告)日： 2024-05-17
- 发明人: 洪佳婷 , 敖资通 , 王劲 , 贺晓光 , 黄子健 , 黄盼宁
- 申请人： 深圳市TCL高新技术开发有限公司
- 申请人地址： 广东省深圳市南山区西丽留仙洞中山园路1001号TCL科学园区研发楼D4栋8层B1单位802-1号房
- 专利权人： 深圳市TCL高新技术开发有限公司
- 当前专利权人： 深圳市TCL高新技术开发有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市南山区西丽留仙洞中山园路1001号TCL科学园区研发楼D4栋8层B1单位802-1号房
- 代理机构： 深圳紫藤知识产权代理有限公司
- 代理商 吴莉莉
- 主分类号： G01R31/00
- IPC分类号： G01R31/00
摘要：
本申请提供一种光电器件的后处理方法、后处理装置及可读存储介质。本申请的后处理方法，包括：获取待处理光电器件的初始参数；根据所述初始参数，确定所述待处理光电器件的后处理参数；根据所述后处理参数对所述待处理光电器件进行后处理；其中，所述后处理参数包括处理方式、后处理环境参数以及处理时间，以更好的对不同的待处理光电器件进行后处理，提高了后处理的专属性和特定性，提高光电器件的性能，得到性能较佳的器件。
