本发明公开了基于传导环境降维技术的HEMP脉冲电流注入试验方法，解决了传统方法难以精确且简便地确定注入波形并开展试验工作的问题，具体包括以下步骤：步骤1、计算获取被试设备端口防护器前端的多参数和高维度HEMP传导环境；步骤2、测试获取被试设备端口防护器的电路响应特性，并拟合得到其防护特性函数曲线；步骤3、利用端口防护器的防护特性函数曲线降低HEMP传导环境的参数维度，得到防护器后低维度的传导干扰波形特性；步骤4、依据传导干扰波形特性确定被试设备脉冲电流注入试验需采用的方波脉冲波形；步骤5、根据方波脉冲波形设置方波脉冲源参数，在防护器后端开展脉冲电流注入试验，获取被试设备的HEMP传导敏感度数据。