发明公开
- 专利标题： 一种氧化镓薄膜及其制备方法
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申请号： CN202410221326.0申请日： 2024-02-28
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公开(公告)号： CN118064832A公开(公告)日： 2024-05-24
- 发明人: 王东 , 黎伟正 , 陈兴 , 龚建彪 , 常焕堉 , 郭昂
- 申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
- 申请人地址： 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼;
- 专利权人： 西安电子科技大学芜湖研究院,西安电子科技大学
- 当前专利权人： 西安电子科技大学芜湖研究院,西安电子科技大学
- 当前专利权人地址： 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼;
- 代理机构： 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 勾慧敏
- 主分类号： C23C14/08
- IPC分类号： C23C14/08 ; C23C14/02 ; C23C14/58 ; C23C14/35
摘要：
本发明涉及一种氧化镓薄膜及其制备方法，制备方法，包括以下步骤：S1：获取衬底；S2：对所述衬底的表面进行溅射清洗，得到预溅射后的衬底；S3：对所述预溅射后的衬底施加偏置电压，同时在所述预溅射后的衬底表面生长氧化镓薄膜；S4：对所述氧化镓薄膜进行真空原位退火。本发明通过在预溅射后的衬底施加偏置电压，并生长氧化镓薄膜，提高氧化镓薄膜的稳定性、质量和结晶度，使得氧化镓薄膜晶粒择优取向生长，降低了氧化镓薄膜的制备成本。
IPC分类:
