发明公开
CN118098871A 真空灭弧室和真空开关
审中-实审
- 专利标题: 真空灭弧室和真空开关
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申请号: CN202410455134.6申请日: 2024-04-16
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公开(公告)号: CN118098871A公开(公告)日: 2024-05-28
- 发明人: 崔明硕 , 管臣 , 穆双录 , 郑旭 , 何佳 , 朱凯 , 马占峰
- 申请人: 西安西电开关电气有限公司 , 中国西电电气股份有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市莲湖区大庆路509号;
- 专利权人: 西安西电开关电气有限公司,中国西电电气股份有限公司
- 当前专利权人: 西安西电开关电气有限公司,中国西电电气股份有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市莲湖区大庆路509号;
- 主分类号: H01H33/664
- IPC分类号: H01H33/664 ; H01H33/18 ; H01H33/662 ; H01H1/06
摘要:
本申请公开了一种真空灭弧室和真空开关,真空灭弧室包括:绝缘外壳,均设置于绝缘外壳内的静触头和动触头,固定于绝缘外壳内的主屏蔽罩;主屏蔽罩包括线圈闭合回路,线圈闭合回路包括螺旋线圈,螺旋线圈包围动触头的动触头端和静触头的静触头端;静触头和动触头沿螺旋线圈的轴向依次分布;在短路电流流经真空灭弧室的情况下,螺旋线圈产生感应电流,感应电流流经螺旋线圈产生感应磁场,感应磁场为纵向磁场。这样,主屏蔽罩能够产生所需的纵向磁场,基于此,动触头与静触头均无需进行特殊结构设计,可以简化动触头与静触头的结构,例如选择动触头与静触头均为平板触头结构,提升了真空灭弧室的通流能力,方便了真空灭弧室在高电压等级的使用。