本发明涉及一种沟槽型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括：SiC衬底层；SiC外延层，SiC外延层包括第一基区和若干发射区，第一基区设置于SiC衬底层上，若干发射区间隔设置在所述第一基区上；第一电极，第一电极包括若干发射极和若干基极，每个发射区上设置一发射极，相邻两个发射区之间的第一基区上设置一基极，其中，所有发射极与所有基极短接；第二电极，设置在SiC衬底层的下表面。本发明的器件可以有效地降低正偏P/N结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积，大幅提高了器件的钳位响应速度，使得响应时间达到纳秒级。